Смартфоны класса high-end будут комплектоваться 3 Гбайт оперативной памяти
"center">
Компания Samsung объявила о начале массового производства модулей памяти LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) объёмом 3 Гбайт, предназначенных для использования в смартфонах следующего поколения.
%27news-id-24719%27>В изделиях объединены шесть чипов памяти ёмкостью 4 Гбит каждый. Они сконфигурированы в два блока по три чипа. Для связи модуля LPDDR3 с мобильным процессором приложений используется два симметричных канала, каждый из которых обеспечивает доступ к 1,5 Гбайт памяти.
Новые модули будут производиться по «технологии 20-нанометрового класса». Заявленная скорость передачи данных достигает 2 133 Мбит/с на вывод.
Samsung подчёркивает, что появление модулей LPDDR3 объёмом 3 Гбайт позволит сократить разрыв между компьютерами начального уровня и смартфонами. Одним из первых мобильных устройств, которое получит 3 Гбайт оперативной памяти, может стать фаблет Galaxy Note III. Анонс этого гаджета ожидается в сентябре на выставке IFA в Берлине.
Компания Samsung объявила о начале массового производства модулей памяти LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) объёмом 3 Гбайт, предназначенных для использования в смартфонах следующего поколения.%27news-id-24719%27>В изделиях объединены шесть чипов памяти ёмкостью 4 Гбит каждый. Они сконфигурированы в два блока по три чипа. Для связи модуля LPDDR3 с мобильным процессором приложений используется два симметричных канала, каждый из которых обеспечивает доступ к 1,5 Гбайт памяти.
Новые модули будут производиться по «технологии 20-нанометрового класса». Заявленная скорость передачи данных достигает 2 133 Мбит/с на вывод.
Samsung подчёркивает, что появление модулей LPDDR3 объёмом 3 Гбайт позволит сократить разрыв между компьютерами начального уровня и смартфонами. Одним из первых мобильных устройств, которое получит 3 Гбайт оперативной памяти, может стать фаблет Galaxy Note III. Анонс этого гаджета ожидается в сентябре на выставке IFA в Берлине.
